हेक्सागोनल बोरॉन नाइट्राइड प्लेट

हेक्सागोनल बोरान नाइट्राइड (h-BN) is a unique सामग्री that shares a समान संरचना to graphene but is composed of boron and नाइट्रोजन परमाणुओं की रचना. यह अक्सर संदर्भित to as "white graphene" ड्यू to its white, पाउडर उपस्थिति. h-BN has a hexagonal latis structure, समान to graphite, और प्रदर्शन उत्कृष्ट थर्मल, रसायन, और विद्युत गुण।

एक सामान्य रूप of h-BN is in प्लेट या शीट-जैसी संरचनाएँ. ये प्लेट्स निर्मित of परतें of षट्कोणीय व्यवस्थित बोरान और नाइट्रोजन परमाणु. ये प्लेट हवेला कई नोटबल गुण और अनुप्रयोगहैं.

गुण हेक्सागोनल बोरान नाइट्राइड

इलेक्ट्रिकल इन्सुलेशन

ग्राफीन, जो a an उत्कृष्ट कंडक्टर of बिजली, h-BN is an इलेक्ट्रिकल इन्सुलेटर. h-BN के पास a वाइड बैंड गैप, जो ऊर्जा अंतर उच्चतम अधिभोगित ऊर्जा राज्य (वैलेंस बैंड) और सबसे कम खाली ऊर्जा राज्य (चालन बैंड). यह बैंड अंतर धारा -आकर्षित इलेक्ट्रॉन 2c मेकिंग h-BN a a -insulated सामग्री को रोकता है। यह संपत्ति मूल्यवान इन एप्लिकेशन जहां विद्युत इन्सुलेशन संयुक्त के साथ अन्य वांछनीय सामग्री गुण आवश्यक है ।

उच्च तापमान गुण

हेक्सागोनल बोरॉन नाइट्राइड (एच-बीएन) के पास उत्कृष्ट उच्च तापमान गुण % 2 सी जो मेक आईटी मूल्यवान इन विभिन्न एप्लिकेशन जिसमें शामिल चरम थर्मल शर्तें शामिल हैं। यहां कुछ कुंजी उच्च तापमान गुण एच -बीएन %3 ए

1. थर्मल स्थिरता

h-BN स्थिर at बहुत उच्च तापमान. यह तापमान तापमान in अतिरिक्त of 2000 डिग्री सेल्सियस अक्रिय अक्रिय वायुमंडल बिना महत्वपूर्ण अपघटन या संरचनात्मक परिवर्तन ों को सहन कर सकता है.

2. थर्मल चालकता

h-BN प्रदर्शित करता है उच्च थर्मल चालकता , विशेष रूप से in में बेसल प्लेन (समानांतर से द लेयर ) यह गुण यह आईटी टू कुशलता से आचरण और फैलाव गर्मी % 2 सी मेकिंग आईटी मूल्यवान इन एप्लिकेशन जहां गर्मी प्रबंधन महत्वपूर्ण % 2 सी ऐसे एएस इन इलेक्ट्रॉनिक डिवाइस और एयरोस्पेस घटक ।

3. उच्च तापमान इन्सुलेशन

जबकि h-BN is an उत्कृष्ट थर्मल कंडक्टर, it is a an इलेक्ट्रिकल इन्सुलेटर. यह दोहरी गुण मूल्य इन एप्लिकेशन जहाँ दोनों विद्युत इन्सुलेशन और कुशल हीट अपव्यय हैं आवश्यकता एट उच्च तापमान।

4. थर्मल विस्तार गुणांक

गुणांक of थर्मल विस्तार (CTE) of h-BN सापेक्ष निम्न. इसका अर्थ है वह it अनुभव न्यूनतम आयामी परिवर्तन तापमान उतार-चढ़ाव के साथ. यह गुण महत्वपूर्ण in अनुप्रयोग जहाँ स्थिरता इन आकार और आकार अंडर थर्मल तनाव महत्वपूर्ण है.

5. उच्च पिघलने बिंदु

पिघलने बिंदु of h-BN असाधारण रूप से उच्च, आस-पास 3000 डिग्री सेल्सियस. यह गुण अनुबंध h-BN to मेंटेनटेन इसके स्ट्रक्चरल इंटेग्रिटी इवेन इन बेहद अति-तापमान वातावरण.

6. पिघला हुआ धातु संगतता

h-BN a गैर-गीलापन गुण कब in संपर्क विद पिघला हुआ धातु. यह इसका अर्थ है it do not आसानी से प्रतिक्रिया या बंधन विद पिघला हुआ धातु. As a परिणाम, h-BN is used as a crucible सामग्री for उच्च-तापमान अनुप्रयोग inalving metal processing.

रासायनिक स्थिरता

h-BN अत्यधिक रासायनिक रूप से स्थिर, जो it प्रतिरोधी to कई संक्षारक रसायन बनाता है. यह गुण महत्वपूर्ण इन अनुप्रयोग जहाँ सामग्री आवश्यकता सेवनी सह-सद्व कठोर कथन.

- जड़ता

h-BN is सामान्यतः असंयोजक अतिवृद्धि विद अधिकांश रसायन, सहित अम्ल, और सॉल्वैंट्स. यह जड़ता यह इट प्रतिरोधी टू संक्षारण और अवक्रमण in a वाइड रेंज of chemical वातावरण बनाता है।

- एसिड प्रतिरोध

यह है अत्यधिक प्रतिरोधी टू दोनों खनिज एसिड (उदाहरण के लिए %2 सी हाइड्रोक्लोरिक एसिड% 2 सी सल्फ्यूरिक एसिड) और कार्बनिक एसिड।

- बेस प्रतिरोध

h-BN resistance to strong क्षारीय पदार्थ. यह कैन एक्सपोजर टू सॉल्यूशंस विथ हाई pH levels बिना महत्वपूर्ण रसायन परिवर्तन ों से गुजर रहा है.

बोरान नाइट्राइड प्लेट के अनुप्रयोग

इलेक्ट्रॉनिक डिवाइस

इन्सुलेट प्रॉपर्टी of h-BN it value in the fabrication of इलेक्ट्रॉनिक डिवाइस, e विशेष रूप से जब संयुक्त और दो-आयामी सामग्री लाइक ग्राफीन या ट्रांजिशन मेटल डाइचलकोजेनाइड्स (TMDs) h-BN can सर्वर as an insulatual layer in the devices, प्रिवेंटिंग अनवांछित इलेक्ट्रिकल इंटरैक्शन अलग घटकों के बीच

थर्मल प्रबंधन इन इलेक्ट्रॉनिक्स

जबकि h-BN is an इलेक्ट्रिकल इन्सुलेटर, it is an उत्कृष्ट थर्मल कंडक्टर. यह it उपयोगी in applications जहाँ दोनों विद्युत इन्सुलेशन और कुशल हीट अपव्यय आवश्यकताय, as as in उच्च-शक्ति इलेक्ट्रॉनिक डिवाइसेज़.

उच्च-आवृत्ति अनुप्रयोग

ड्यू टू इट्स इन्सुलेटिंग प्रॉपर्टीज़ और हाई थर्मल चालकता, h-BN is used in high-frequency electronics. It can be इंटीग्रेटेड into रेडियो-फ़्रीक्वेंसी (RF) और माइक्रोवेव डिवाइस to prevent interferee बीच components.

इन सेमीकंडक्टर मैन्युफैक्चरिंग, h-BN can be उपयोग a सब्सट्रेट या an insulutul लेयर इन द प्रोडक्शन of इलेक्ट्रॉनिक डिवाइस. इसके उच्च-गुणवत्ता क्रिस्टल स्ट्रक्चर और इन्सुलेटिंग प्रॉपर्टी मेक इट ए वैल्यूएबल मटेरियल इन इस इंडस्ट्री में.

बाधा सामग्री

h-BN is भी उपयोग as a बाधा सामग्री in उन्नत इलेक्ट्रॉनिक डिवाइस. यह a सुरक्षात्मक परत रोक संदूषण या ऑक्सीकरण आफ्टिक अंतर्निहित अर्धचालक सामग्री.
 

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